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Infineon Technologies IRLR4343PBF

Numero parte MFG
IRLR4343PBF
quantità disponibile
41870 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLR4343PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRLR4343PBF
Numero di parte futuro FT-IRLR4343PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLR4343PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR4343PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLR4343PBF-FT

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