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Infineon Technologies IRLR6225PBF

Numero parte MFG
IRLR6225PBF
quantità disponibile
33690 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLR6225PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRLR6225PBF
Numero di parte futuro FT-IRLR6225PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLR6225PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR6225PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLR6225PBF-FT

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