casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR6225PBF
codice articolo del costruttore | IRLR6225PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR6225PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR6225PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR6225PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR6225PBF-FT |
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