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Renesas Electronics America NP109N04PUG-E1-AY

Numero parte MFG
NP109N04PUG-E1-AY
quantità disponibile
11160 pezzi
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NP109N04PUG-E1-AY
Numero di parte futuro FT-NP109N04PUG-E1-AY
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NP109N04PUG-E1-AY Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15750pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 220W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263-3
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP109N04PUG-E1-AY Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NP109N04PUG-E1-AY-FT

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