casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANTX2N6790
codice articolo del costruttore | JANTX2N6790 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N6790 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/555 |
JANTX2N6790 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Pacchetto / caso | TO-205AF Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6790 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N6790-FT |
IXTP28N15P
IXYS
IXTV02N250S
IXYS
IXTV03N400S
IXYS
IXTV102N20T
IXYS
IXTV102N25T
IXYS
IXTV120N15T
IXYS
IXTV130N15T
IXYS
IXTV18N60P
IXYS
IXTV18N60PS
IXYS
IXTV22N50P
IXYS
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel