casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANTX2N6796

| codice articolo del costruttore | JANTX2N6796 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-JANTX2N6796 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| JANTX2N6796 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-205AF (TO-39) |
| Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JANTX2N6796 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | JANTX2N6796-FT |

IXTV03N400S
IXYS

IXTV102N20T
IXYS

IXTV102N25T
IXYS

IXTV120N15T
IXYS

IXTV130N15T
IXYS

IXTV18N60P
IXYS

IXTV18N60PS
IXYS

IXTV22N50P
IXYS

IXTV22N50PS
IXYS

IXTV22N60P
IXYS

XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.

XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.

A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation

XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.

XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.

A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation

M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation

ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX230HF35C2
Intel