casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NP0G3A000A
codice articolo del costruttore | NP0G3A000A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NP0G3A000A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP0G3A000A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-963 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini6-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP0G3A000A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP0G3A000A-FT |
EMD9T2R
Rohm Semiconductor
EMH10T2R
Rohm Semiconductor
EMH1T2R
Rohm Semiconductor
EMH3T2R
Rohm Semiconductor
EMH4T2R
Rohm Semiconductor
EMH59T2R
Rohm Semiconductor
EMH60T2R
Rohm Semiconductor
EMH61T2R
Rohm Semiconductor
EMH75T2R
Rohm Semiconductor
EMB6T2R
Rohm Semiconductor
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
EP2C35F484C8
Intel
EP2AGZ350HF40I3N
Intel
XC2VP30-6FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel