casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMH59T2R
codice articolo del costruttore | EMH59T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMH59T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMH59T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH59T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMH59T2R-FT |
RN1908(T5L,F,T)
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RN1909(T5L,F,T)
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RN1911(T5L,F,T)
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RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV50-4FG256C
Xilinx Inc.
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
Intel
EP4SGX180KF40I4
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel