casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NIF9N05CLT1
codice articolo del costruttore | NIF9N05CLT1 |
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Numero di parte futuro | FT-NIF9N05CLT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NIF9N05CLT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 52V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 35V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.69W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NIF9N05CLT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NIF9N05CLT1-FT |
NDD60N550U1-1G
ON Semiconductor
NDD60N550U1-35G
ON Semiconductor
NDDL01N60Z-1G
ON Semiconductor
NDDP010N25AZ-1H
ON Semiconductor
NTD4960N-1G
ON Semiconductor
NTDV2955-1G
ON Semiconductor
SFT1431-W
ON Semiconductor
SFT1458-H
ON Semiconductor
NTD4815N-35G
ON Semiconductor
NTD4970N-35G
ON Semiconductor
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel