casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDD60N550U1-1G
codice articolo del costruttore | NDD60N550U1-1G |
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Numero di parte futuro | FT-NDD60N550U1-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD60N550U1-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD60N550U1-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDD60N550U1-1G-FT |
NTD15N06-001
ON Semiconductor
NTD15N06L-001
ON Semiconductor
NTD18N06-001
ON Semiconductor
NTD18N06-1G
ON Semiconductor
NTD18N06L-001
ON Semiconductor
NTD18N06L-1G
ON Semiconductor
NTD20N03L27-001
ON Semiconductor
NTD20N03L27-1G
ON Semiconductor
NTD20N06-001
ON Semiconductor
NTD20N06-1G
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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