casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-AZ
codice articolo del costruttore | NE856M02-AZ |
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Numero di parte futuro | FT-NE856M02-AZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE856M02-AZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 6.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Guadagno | 12dB |
Potenza - Max | 1.2W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-AZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE856M02-AZ-FT |
BFU530R
NXP USA Inc.
BFU530XAR
NXP USA Inc.
BFU550XAR
NXP USA Inc.
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies
2SC4093-A
CEL
2SC4093-T1-A
CEL
2SC4094-A
CEL
2SC4094-T1-A
CEL
2SC4095-A
CEL
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel