casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFP196E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BFP196E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFP196E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFP196E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 10.5dB ~ 16.5dB |
Potenza - Max | 700mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP196E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFP196E6327HTSA1-FT |
2SC5010-A
CEL
2SC5010-T1-A
CEL
2SC5606-A
CEL
2SC5606-T1-A
CEL
NE66219-A
CEL
NE66219-T1-A
CEL
NE68019-A
CEL
NE68019-T1
CEL
NE68019-T1-A
CEL
NE68119-A
CEL
A40MX02-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO256E-3TN100I
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LFEC3E-3TN100C
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