casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFU530XAR
codice articolo del costruttore | BFU530XAR |
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Numero di parte futuro | FT-BFU530XAR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BFU530XAR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 11GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 900MHz |
Guadagno | 22dB |
Potenza - Max | 450mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU530XAR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFU530XAR-FT |
2SC5007-T1-A
CEL
2SC5008-A
CEL
2SC5008-T1-A
CEL
2SC5010-A
CEL
2SC5010-T1-A
CEL
2SC5606-A
CEL
2SC5606-T1-A
CEL
NE66219-A
CEL
NE66219-T1-A
CEL
NE68019-A
CEL
AT6005A-4AI
Microchip Technology
A1225A-PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
EP4SGX290KF43C3N
Intel
EP3C10M164I7N
Intel
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
EP3C80F780C7N
Intel