casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NDS9959
codice articolo del costruttore | NDS9959 |
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Numero di parte futuro | FT-NDS9959 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDS9959 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS9959 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDS9959-FT |
FDS9926A
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A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
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EP4CE15F23C6N
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5CEBA4U19C7N
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