casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NDS9957
codice articolo del costruttore | NDS9957 |
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Numero di parte futuro | FT-NDS9957 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDS9957 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 30V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS9957 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDS9957-FT |
FDS8928A
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XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
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XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
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