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ON Semiconductor NDS8852H

Numero parte MFG
NDS8852H
quantità disponibile
17660 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NDS8852H specificazioni

codice articolo del costruttore NDS8852H
Numero di parte futuro FT-NDS8852H
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NDS8852H Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDS8852H Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NDS8852H-FT

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