codice articolo del costruttore | NDS8425 |
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Numero di parte futuro | FT-NDS8425 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
NDS8425 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1098pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS8425 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDS8425-FT |
FQAF33N10L
ON Semiconductor
FQAF34N25
ON Semiconductor
FQAF40N25
ON Semiconductor
FQAF44N08
ON Semiconductor
FQAF44N10
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FQAF47P06
ON Semiconductor
FQAF58N08
ON Semiconductor
FQAF5N90
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FQAF65N06
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FQAF6N80
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
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