casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQAF40N25
codice articolo del costruttore | FQAF40N25 |
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Numero di parte futuro | FT-FQAF40N25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF40N25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 108W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF40N25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQAF40N25-FT |
FQU3P20TU
ON Semiconductor
FQU3P50TU
ON Semiconductor
FQU4N20TU
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FQU4N25TU
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FQU4N50TU
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FQU5N50CTU
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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