casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQAF5N90
codice articolo del costruttore | FQAF5N90 |
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Numero di parte futuro | FT-FQAF5N90 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF5N90 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF5N90 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQAF5N90-FT |
FQU4N50TU-WS
ON Semiconductor
FQU4P25TU
ON Semiconductor
FQU5N50CTU
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FQU5N50TU
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LCMXO3L-4300E-6MG121I
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5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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