codice articolo del costruttore | NDP7060 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NDP7060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDP7060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDP7060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDP7060-FT |
IRLS510A
ON Semiconductor
FQP32N20C
ON Semiconductor
FDP085N10A-F102
ON Semiconductor
FCP380N60
ON Semiconductor
RFP12N10L
ON Semiconductor
FQP19N20C
ON Semiconductor
RFP50N06
ON Semiconductor
FQP3N60C
ON Semiconductor
FDP10N60NZ
ON Semiconductor
FDP24N40
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel