casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RFP50N06
codice articolo del costruttore | RFP50N06 |
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Numero di parte futuro | FT-RFP50N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFP50N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2020pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 131W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFP50N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RFP50N06-FT |
FQPF2NA90
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FQPF2P25
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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EP4SGX230DF29C3NES
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