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ON Semiconductor FDP10N60NZ

Name: FDP10N60NZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP10N60NZ
Price: 1.688 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (641 reviews)

Numero parte MFG: FDP10N60NZ

quantità disponibile: 60400 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.688

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDP10N60NZ.pdf

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FDP10N60NZ specificazioni

codice articolo del costruttore	FDP10N60NZ
Numero di parte futuro	FT-FDP10N60NZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET-II™
FDP10N60NZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1475pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	185W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP10N60NZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDP10N60NZ-FT

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