casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDF03N60ZH
codice articolo del costruttore | NDF03N60ZH |
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Numero di parte futuro | FT-NDF03N60ZH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDF03N60ZH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 372pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDF03N60ZH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDF03N60ZH-FT |
IPA65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280C6XKSA1
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IPA65R310CFDXKSA1
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IPA65R660CFDXKSA1
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IPA80R460CEXKSA2
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IRFI2807
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
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A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel