casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA65R310CFDXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA65R310CFDXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA65R310CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA65R310CFDXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA65R310CFDXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA65R310CFDXKSA1-FT |
TK56A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IXKP20N60C5M
IXYS
IXKP24N60C5M
IXYS
IRFI9Z24GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830G
Vishay Siliconix
IRLIZ24G
Vishay Siliconix
IRLIZ44G
Vishay Siliconix
RJK5030DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel