casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA65R660CFDXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA65R660CFDXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA65R660CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA65R660CFDXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA65R660CFDXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA65R660CFDXKSA1-FT |
IRFI9Z24GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix
IRFI830G
Vishay Siliconix
IRLIZ24G
Vishay Siliconix
IRLIZ44G
Vishay Siliconix
RJK5030DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJK5033DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
IRFI820G
Vishay Siliconix
IRFIBC40G
Vishay Siliconix
RCX120N20
Rohm Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel