casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / ND410835
codice articolo del costruttore | ND410835 |
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Numero di parte futuro | FT-ND410835 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ND410835 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 350A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30mA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ND410835 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ND410835-FT |
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
PN412011
Powerex Inc.
PN412211
Powerex Inc.
PN412411
Powerex Inc.
PN412611
Powerex Inc.
PN413610
Powerex Inc.
PN413810
Powerex Inc.
PN414010
Powerex Inc.
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation