casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PN414010
codice articolo del costruttore | PN414010 |
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Numero di parte futuro | FT-PN414010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN414010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 4000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN414010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN414010-FT |
SET040219
Semtech Corporation
SET040223
Semtech Corporation
SET040303
Semtech Corporation
SET040304
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SET040311
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SET040319
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SET040403
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SET040404
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SET050104
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SET050111
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
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A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
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EP4CE75F23I7
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EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel