casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PN413610
codice articolo del costruttore | PN413610 |
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Numero di parte futuro | FT-PN413610 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN413610 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 3600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 1100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200mA @ 3600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN413610 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN413610-FT |
SET040211
Semtech Corporation
SET040212
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SET040219
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SET040223
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SET040303
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SET040304
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SET040311
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SET040319
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SET040403
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SET040404
Semtech Corporation
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel