casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q128A13ESFH0E TR
codice articolo del costruttore | N25Q128A13ESFH0E TR |
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Numero di parte futuro | FT-N25Q128A13ESFH0E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q128A13ESFH0E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (32M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q128A13ESFH0E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q128A13ESFH0E TR-FT |
MT53B256M32D1PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel