casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / N0412N-S19-AY
codice articolo del costruttore | N0412N-S19-AY |
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Numero di parte futuro | FT-N0412N-S19-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N0412N-S19-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N0412N-S19-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N0412N-S19-AY-FT |
2SK3050TL
Rohm Semiconductor
R4008ANDTL
Rohm Semiconductor
R5205CNDTL
Rohm Semiconductor
R5207ANDTL
Rohm Semiconductor
R6002ENDTL
Rohm Semiconductor
RCD040N25TL
Rohm Semiconductor
RCD041N25TL
Rohm Semiconductor
RCD050N20TL
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RCD051N20TL
Rohm Semiconductor
RCD060N25TL
Rohm Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
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LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
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