casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / N0412N-S19-AY
codice articolo del costruttore | N0412N-S19-AY |
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Numero di parte futuro | FT-N0412N-S19-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N0412N-S19-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N0412N-S19-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N0412N-S19-AY-FT |
2SK3050TL
Rohm Semiconductor
R4008ANDTL
Rohm Semiconductor
R5205CNDTL
Rohm Semiconductor
R5207ANDTL
Rohm Semiconductor
R6002ENDTL
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RCD040N25TL
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RCD041N25TL
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RCD050N20TL
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RCD051N20TL
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RCD060N25TL
Rohm Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-95EA-6FN672I
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LFE3-35EA-8FN484I
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LCMXO3L-4300E-6MG121I
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5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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