casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L25735FZ2I-10G
codice articolo del costruttore | MX25L25735FZ2I-10G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L25735FZ2I-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ |
MX25L25735FZ2I-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 30µs, 1.5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (8x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L25735FZ2I-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L25735FZ2I-10G-FT |
IS62LV256AL-45TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV256-12TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV256-15TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
DS1220AD-200+
Maxim Integrated
DS1220AB-120+
Maxim Integrated
DS1220AD-200IND+
Maxim Integrated
DS1220AD-120+
Maxim Integrated
DS1220AD-100+
Maxim Integrated
DS1220AD-150+
Maxim Integrated
DS1220AB-150+
Maxim Integrated
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel