casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1220AB-150+
codice articolo del costruttore | DS1220AB-150+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1220AB-150+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AB-150+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-150+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1220AB-150+-FT |
W25Q80BLUXIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DLUXIE
Winbond Electronics
24LC512-I/ST14
Microchip Technology
24FC512-I/ST14
Microchip Technology
24AA512-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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XCS20-3TQ144I
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XC3SD3400A-4CS484C
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LAE5UM-45F-7BG381E
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5SGSMD4K3F40I3L
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XC4010E-3HQ208I
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XC4VLX60-10FFG668C
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LFE2M50E-7F672C
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LFE2-20SE-5FN484C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
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