casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1220AD-100+
codice articolo del costruttore | DS1220AD-100+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1220AD-100+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AD-100+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AD-100+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1220AD-100+-FT |
USBF4100T-I/NPVAO
Microchip Technology
W25Q40BWUXIE TR
Winbond Electronics
W25Q80BLUXIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DLUXIE
Winbond Electronics
24LC512-I/ST14
Microchip Technology
24FC512-I/ST14
Microchip Technology
24AA512-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-I/ST14G
Microchip Technology
24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel