casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L12845EZNI-10G
codice articolo del costruttore | MX25L12845EZNI-10G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L12845EZNI-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx45 - MXSMIO™ |
MX25L12845EZNI-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 300µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (8x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L12845EZNI-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L12845EZNI-10G-FT |
DS1220AB-120+
Maxim Integrated
DS1220AD-200IND+
Maxim Integrated
DS1220AD-120+
Maxim Integrated
DS1220AD-100+
Maxim Integrated
DS1220AD-150+
Maxim Integrated
DS1220AB-150+
Maxim Integrated
DS1220AB-150IND+
Maxim Integrated
DS1220AB-200+
Maxim Integrated
DS1220AD-100IND+
Maxim Integrated
DS1220AB-100+
Maxim Integrated
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation