casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI25-12A7T
codice articolo del costruttore | MWI25-12A7T |
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Numero di parte futuro | FT-MWI25-12A7T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI25-12A7T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 225W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI25-12A7T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MWI25-12A7T-FT |
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF300R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA4H3F35C3N
Intel
LFXP15E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel
EP1C20F400C6N
Intel
EPF10K50SBC356-3
Intel