casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF300R07ME4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FF300R07ME4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R07ME4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF300R07ME4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 390A |
Potenza - Max | 1100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R07ME4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R07ME4B11BOSA1-FT |
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT150TDU60PG
Microsemi Corporation
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
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5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel