casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA60060
codice articolo del costruttore | MURTA60060 |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA60060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA60060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 280ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA60060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA60060-FT |
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT20060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT20080(A)D
GeneSiC Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel