casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT200160(A)D
codice articolo del costruttore | MSRT200160(A)D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MSRT200160(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT200160(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT200160(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT200160(A)D-FT |
MBRT20030
GeneSiC Semiconductor
MBRT20030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20035
GeneSiC Semiconductor
MBRT20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20045
GeneSiC Semiconductor
MBRT20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel