casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT20080(A)D
codice articolo del costruttore | MSRT20080(A)D |
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Numero di parte futuro | FT-MSRT20080(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT20080(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT20080(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT20080(A)D-FT |
MBRT20035
GeneSiC Semiconductor
MBRT20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20045
GeneSiC Semiconductor
MBRT20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel