casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA500120
codice articolo del costruttore | MURTA500120 |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA500120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA500120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 250A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA500120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA500120-FT |
MBRT60045
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60080
GeneSiC Semiconductor
MBRT60080R
GeneSiC Semiconductor
MSRT100100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT100120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT100140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT100160(A)D
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel