casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT100120(A)D
codice articolo del costruttore | MSRT100120(A)D |
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Numero di parte futuro | FT-MSRT100120(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT100120(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT100120(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT100120(A)D-FT |
MBRT12040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12045
GeneSiC Semiconductor
MBRT12045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12060
GeneSiC Semiconductor
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150
GeneSiC Semiconductor
MBRT200150R
GeneSiC Semiconductor
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel