casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT60060
codice articolo del costruttore | MBRT60060 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBRT60060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT60060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT60060-FT |
MBRT12030
GeneSiC Semiconductor
MBRT12030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor
MBRT12035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12040
GeneSiC Semiconductor
MBRT12040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12045
GeneSiC Semiconductor
MBRT12045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12060
GeneSiC Semiconductor
MBRT12060R
GeneSiC Semiconductor
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel