casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA40040R
codice articolo del costruttore | MURTA40040R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA40040R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA40040R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA40040R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA40040R-FT |
MBRT60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60080
GeneSiC Semiconductor
MBRT60080R
GeneSiC Semiconductor
MSRT100100(A)D
GeneSiC Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel