casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT60035R
codice articolo del costruttore | MBRT60035R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT60035R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT60035R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60035R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT60035R-FT |
MBRT120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12020
GeneSiC Semiconductor
MBRT120200
GeneSiC Semiconductor
MBRT120200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12030
GeneSiC Semiconductor
MBRT12030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor
MBRT12035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12040
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel