casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA40020R
codice articolo del costruttore | MURTA40020R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA40020R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA40020R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA40020R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA40020R-FT |
MBRT60030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060
GeneSiC Semiconductor
MBRT60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60080
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel