casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA20060R
codice articolo del costruttore | MURTA20060R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA20060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA20060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA20060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA20060R-FT |
MBRT50060
GeneSiC Semiconductor
MBRT50060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50080
GeneSiC Semiconductor
MBRT50080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT600100
GeneSiC Semiconductor
MBRT600100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT600150
GeneSiC Semiconductor
MBRT600150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60020
GeneSiC Semiconductor
MBRT600200
GeneSiC Semiconductor
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation