casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT600150
codice articolo del costruttore | MBRT600150 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT600150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT600150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT600150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT600150-FT |
MSRTA50060(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRTA50080(A)
GeneSiC Semiconductor
MBRT40045
GeneSiC Semiconductor
MBRT200100
GeneSiC Semiconductor
MBRT30035
GeneSiC Semiconductor
MBRT120100
GeneSiC Semiconductor
MBRT120100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT120150
GeneSiC Semiconductor
MBRT120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12020
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel