casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT600100
codice articolo del costruttore | MBRT600100 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT600100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT600100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 600A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT600100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT600100-FT |
MSRTA500140(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRTA500160(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRTA50060(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRTA50080(A)
GeneSiC Semiconductor
MBRT40045
GeneSiC Semiconductor
MBRT200100
GeneSiC Semiconductor
MBRT30035
GeneSiC Semiconductor
MBRT120100
GeneSiC Semiconductor
MBRT120100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT120150
GeneSiC Semiconductor
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel