casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS360HE3/9AT
codice articolo del costruttore | MURS360HE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-MURS360HE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS360HE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS360HE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS360HE3/9AT-FT |
VS-4ECU06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-5ECH06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-5ECU06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS340-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS360-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSC520S-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSC8L45-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
30BQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel