casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-4ECU06-M3/9AT
codice articolo del costruttore | VS-4ECU06-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-4ECU06-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-4ECU06-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 41ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-4ECU06-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-4ECU06-M3/9AT-FT |
S3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel