casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 30BQ040
codice articolo del costruttore | 30BQ040 |
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Numero di parte futuro | FT-30BQ040 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
30BQ040 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
30BQ040 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 30BQ040-FT |
S3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation